项目
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物质
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电源电压
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直流+12V~+26V
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电流消耗
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30 mA 或更低(不包括输出灌电流、仅传感器)
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输出
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格式
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晶体管系统:A 相、B 相、Z 相 ※1 ※2
R5:N 沟道 MOSFET 漏极开路
R7:P 沟道 MOSFET 漏极开路
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能力
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外加电压:DC+30V以下
R5:吸收电流:100mA以下(剩余电压:1V以下)
R7:吸收电流:100mA以下(电源电压:-1V以下)
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有效角度
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360°
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分辨率
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W250:250 个脉冲/转(4 次乘法后 1000 个计数/转)
W500:500 个脉冲/转(4 次乘法后 2000 个计数/转)
W1250:1250 个脉冲/转(4 次后 5000 个计数/转)
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采样周期
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W250:500μsec
W500:1msec
W1250:1.5msec
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最大转数
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W250:19800rpm
W500:9900rpm
W1250:3600rpm
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作距离
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8±2 毫米 ※3
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安装中心移位
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在检测中心 φ1 的圆周范围内
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线性
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1%满量程
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宽容 ※4
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宽 250:0.72°
宽 500:0.9°
宽 1250:0.36°
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工作温度范围
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-10°C~+60°C(无冷凝或冻结)
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工作湿度范围
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35~95%RH (无冷凝)
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保护结构
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IP67(IEC 标准) ※5
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RoHS 指令
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通信
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法典
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5芯/φ5/0.3mm2/1m ※6
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大纲
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传感器
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宽 52 毫米×高 51 毫米×深 18 毫米
(不包括电缆接头)
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充磁器
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φ30mm×高度 9mm
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材料
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传感器案例
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铝
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传感器盖
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铝
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磁流壳
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ABS
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质量
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传感器
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约 135 克(包括电源线)
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充磁器
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约 10 克
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